光刻赌博平台网址胶_百度百科
发布时间:2020-05-26 17:07

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  光刻胶是微电子技巧中微细图形加工的要害资料之一,希奇是近年来大领域和超大领域集成电途的发扬,更是大大鼓舞了光刻胶的咨询斥地和使用。印刷工业是光刻胶使用的另一厉重周围。1954 年由明斯克等人最先咨询凯旋的聚乙烯醇肉桂酸脂即是用于印刷工业的,今后才用于电子工业。

  光刻胶的技巧杂乱,种类较众。遵循其化学反映机理和显影道理,可分负性胶和正性胶两类。光照后造成弗成溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是弗成溶的,经光照后酿成可溶物质的即为正性胶。图1是正性胶的显影工艺与负性胶显影工艺比照结果示贪图

  欺骗这种功能,将光刻胶作涂层,就能正在硅片外观刻蚀所需的电途图形。基于感光树脂的化学构造,光刻胶可能分为三品种型。

  采用烯类单体,正在光功用下天生自正在基,自正在基再进一步激发单体鸠合,结果天生鸠合物,具有造成正像的特征。

  采用含有叠氮醌类化合物的资料,经光照后,会产生光理会反映,由油溶性变为水溶性,可能制成正性胶。

  采用聚乙烯醇月桂酸酯等行为光敏资料,正在光的功用下,其分子中的双键被翻开,并使链与链之间产生交联,造成一种不溶性的网状构造,而起到抗蚀功用,这是一种模范的负性光刻胶。柯达公司的产物KPR胶即属此类。

  为了避免光刻胶线条的倾圯,线宽越小的光刻工艺,就央浼光刻胶的厚度越薄。

  正在20nm技巧节点,光刻胶的厚度仍旧淘汰到了100nm支配。然而薄光刻胶不行有用的妨碍等离子体对衬底的刻蚀

  含有Si的光刻胶是运用分子构造中有Si的有机资料合成的,比如硅氧烷硅烷,含Si的丙烯酸树脂等

  判袂率英文名:resolution。区别硅片外观相邻图形特质的材干,日常用要害尺寸(CD,Critical Dimension)来权衡判袂率。造成的要害尺寸越小,光刻胶的判袂率越好。

  比照度(Contrast)指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。比照度越好,造成图形的侧壁越嵬巍,判袂率越好。

  敏锐度(Sensitivity)光刻胶上发生一个精良的图形所需必定波长光的最小能量值(或最小曝光量)。单元:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏锐性对待波长更短的深紫外光(DUV)、极深紫外光(EUV)等尤为厉重。

  粘滞性/黏度(Viscosity)是权衡光刻胶滚动性格的参数。粘滞性跟着光刻胶中的溶剂的淘汰而增补;高的粘滞性会发生厚的光刻胶;越小的粘滞性,就有越平均的光刻胶厚度。光刻胶的比重(SG,Specific Gravity)是权衡光刻胶的密度的目标。它与光刻胶中的固体含量相合。较大的比重意味着光刻胶中含有更众的固体,粘滞性更高、滚动性更差。粘度的单元:泊(poise),光刻胶日常用厘泊(cps,厘泊为1%泊)来器量。百分泊即厘泊为绝对粘滞率;运动粘滞率界说为:运动粘滞率=绝对粘滞率/比重。 单元:百分斯托克斯(cs)=cps/SG。

  粘附性(Adherence)外征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性缺乏会导致硅片外观的图形变形。光刻胶的粘附性必需经受住后续工艺(刻蚀、离子注入等)。

  抗蚀性(Anti-etching)光刻胶必需仍旧它的粘附性,正在后续的刻蚀工序中偏护衬底外观。耐热安闲性、抗刻蚀材干和抗离子轰击材干。赌博平台网址

  液体中将外观分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应当具有对照小的外观张力(Surface Tension),使光刻胶具有精良的滚动性和掩盖。

  微机电体系(Microelectromechanical Systems MEMS)

  光电子器件/光子器件(Optoelectronics/Photonics)

  普及的光刻胶正在成像进程中,因为存正在必定的衍射、反射和散射,消浸了光刻胶图形的比照度,从而消浸了图形的判袂率。跟着曝光加工特质尺寸的缩小,入射光的反射和散射对降低图形判袂率的影响也越来越大。为了降低曝光体系判袂率的功能,人们正正在咨询正在曝光光刻胶的外观掩盖抗反射涂层的新型光刻胶技巧。赌博平台网址该技巧的引入,可分明减小光刻胶外观临入射光的反射和散射,从而改观光刻胶的判袂率功能,但由此将惹起工艺杂乱性和光刻本钱的增补。

  伴跟着新一代曝光技巧(NGL)的咨询与发扬,为了更好的满意其所能完成光刻判袂率的同时,光刻胶也相应发扬。先辈曝光技巧对光刻胶的功能央浼也越来越高。

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